| 发明名称 | 一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述双扩散金属氧化物半导体包括：P型衬底、外延层、场氧、N型阱区、栅氧、多晶硅栅、P型基区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区以及P型重掺杂区。所述双扩散金属氧化物半导体具有更小的Ron×A。 | ||
| 申请公布号 | CN103594520A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201310634212.0 | 申请日期 | 2013.11.29 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 吉扬永;马蒂·E·加内特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种双扩散金属氧化物半导体，包括：P型衬底；形成在P型衬底上的外延层；形成在外延层上的场氧；形成在外延层内的N型阱区；形成在外延层上的栅氧；形成在栅氧和场氧上的多晶硅栅；形成在外延层内的P型基区；形成在N型阱区内的第一N型重掺杂区；形成在P型基区内的第二N型重掺杂区；以及形成在P型基区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区毗邻所述第二N型重掺杂区。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||