| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅结构，在所述栅结构和栅结构两侧的衬底上形成有第一保护层；图形化所述第一保护层，所述图形化的第一保护层用于界定出后续将形成在栅结构两侧衬底内的Σ形凹槽的位置；进行清洗步骤，以去除在图形化所述第一保护层过程中产生的副产物；刻蚀所述栅结构两侧的衬底，在栅结构两侧的衬底内形成Σ形凹槽；以及在所述Σ形凹槽内形成锗硅层。所述方法能够改善现有技术中Σ形凹槽深度不一致的问题，从而提高晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103594366A | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210289339.9 | 申请日期 | 2012.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅结构，在所述栅结构和栅结构两侧的衬底上形成有第一保护层；图形化所述第一保护层，所述图形化的第一保护层用于界定出后续将形成在栅结构两侧衬底内的Σ形凹槽的位置；进行清洗步骤，以去除在图形化所述第一保护层过程中产生的副产物；刻蚀所述栅结构两侧的衬底，在栅结构两侧的衬底内形成Σ形凹槽；以及在所述Σ形凹槽内形成锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||