| 发明名称 |
降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构 |
| 摘要 |
降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层的生长厚度为1-10um，U型GaN层中间插入一层AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层，其中Al的组分为0.01<X<1。同现有技术相比，本实用新型能有效降低位错密度，提高外延层的晶体质量，提升蓝光LED的发光效率。 |
| 申请公布号 |
CN203445143U |
申请公布日期 |
2014.02.19 |
| 申请号 |
CN201320274758.5 |
申请日期 |
2013.05.20 |
| 申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 |
| 分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，它从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）的生长厚度为1‑10um，U型GaN层（3）中间插入一层AlxGa1‑xN/SiNx缺陷阻挡层（10）。 |
| 地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |
