Optische Empfängerstruktur und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Optische Empfängerstruktur (100) mit folgenden Merkmalen: einer ersten Kontaktschicht (110), die auf einem Substrat (105) angeordnet ist; einer aktiven Schichtfolge (120), die auf der ersten Kontaktschicht (110) angeordnet ist, wobei die aktive Schichtfolge eine intrinsische Schicht, eine Halbleiterschicht eines ersten Dotierungstyps, die an eine erste Seite der intrinsischen Schicht angrenzt und eine Halbleiterschicht eines zweiten Dotierungstyps, die an eine der ersten Seite gegenüberliegende Seite der intrinsischen Schicht angrenzt, aufweist; einer zweiten Kontaktschicht (130), die zumindest teilweise auf einer von der intrinsischen Schicht abgewandten Oberfläche einer der Halbleiterschichten der aktiven Schichtfolge (120) angeordnet ist, wobei die zweite Kontaktschicht voneinander getrennte Pixel, die durch einen isolierenden Graben definiert werden, leitfähig kontaktiert; und isolierenden Gräben (140), die sich durch die aktive Schichtfolge (120) erstrecken und voneinander getrennte Bereiche (150) der aktiven Schichtfolge (120) und der ersten Kontaktschicht (110) definieren; wobei ein Material, mit dem die Gräben (140) gefüllt sind, sich nicht auf eine obere Oberfläche (122) der aktiven Schichtfolge (120) erstreckt, wobei Abschnitte (132) der zweiten Kontaktschicht (130) auf einer durch die Gräben (140) und angrenzende Bereiche der aktiven Schichtfolge (120) gebildeten Oberfläche angeordnet sind; wobei die zweite Kontaktschicht (130) direkt auf der oberen Oberfläche (122) der aktiven Schichtfolge (120) angeordnet ist.