发明名称 |
Siliziumsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
<p>Es werden ein Siliziumsubstrat und ein Verfahren zu dessen Herstellung vorgeschlagen, wobei das Siliziumsubstrat umfasst: ein erstes und ein zweites Siliziumsubstrat mit entsprechenden Bondingoberflächen; einen Siliziumoxidfilm, der zwischen dem ersten und dem zweiten Siliziumsubstrat gebildet ist und wenigstens einen Graben aufweist, der mit der Außenseite in Verbindung steht; und einen luftdichten Abschnitt, der an einem Endabschnitt des Grabens gemäß der Oxidation des Siliziumoxidfilms gebildet ist.</p> |
申请公布号 |
DE102012109986(A1) |
申请公布日期 |
2014.02.13 |
申请号 |
DE201210109986 |
申请日期 |
2012.10.19 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRO - MECHANICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, HYUN KEE;CHO, SUNG MIN |
分类号 |
H01L29/06;B81C3/00;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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