发明名称 Siliziumsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 <p>Es werden ein Siliziumsubstrat und ein Verfahren zu dessen Herstellung vorgeschlagen, wobei das Siliziumsubstrat umfasst: ein erstes und ein zweites Siliziumsubstrat mit entsprechenden Bondingoberflächen; einen Siliziumoxidfilm, der zwischen dem ersten und dem zweiten Siliziumsubstrat gebildet ist und wenigstens einen Graben aufweist, der mit der Außenseite in Verbindung steht; und einen luftdichten Abschnitt, der an einem Endabschnitt des Grabens gemäß der Oxidation des Siliziumoxidfilms gebildet ist.</p>
申请公布号 DE102012109986(A1) 申请公布日期 2014.02.13
申请号 DE201210109986 申请日期 2012.10.19
申请人 SAMSUNG ELECTRO - MECHANICS CO., LTD. 发明人 LEE, HYUN KEE;CHO, SUNG MIN
分类号 H01L29/06;B81C3/00;H01L21/30 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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