摘要 |
Es wird ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereitgestellt, umfassend Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat Polysilizium und mindestens eines von Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfasst, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung, umfassend als ursprüngliche Komponenten: Wasser, ein Schleifmittel und eine Alkylarylpolyethersulfonatverbindung, wobei die Alkylarylpolyethersulfonatverbindung einen hydrophoben Teil, der eine an einen Arylring gebundene Alkylgruppe aufweist, und einen nicht-ionischen acyclischen hydrophilen Teil mit 4 bis 100 Kohlenstoffatomen aufweist, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens mit einer Polieroberfläche, Bewegen der Polieroberfläche relativ zu dem Substrat, Aufbringen der chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung auf die Polieroberfläche und Abtragen mindestens eines Teils des Substrats zum Polieren des Substrats, wobei mindestens ein Teil des Polysiliziums von dem Substrat entfernt wird und wobei mindestens ein Teil von dem mindestens einen von Siliziumoxid und Siliziumnitrid von dem Substrat entfernt wird. |
申请人 |
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. |
发明人 |
GUO, YI;LIU, ZHENDONG;REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR;ZHANG, GUANGYUN |