HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG EINSCHLIESSLICH SCHLEIFEN VON EINER RÜCKSEITE

摘要

Eine Kavität (104) wird von einer vorderen Oberfläche (101) in ein Halbleitersubstrat (100a) geätzt. Nach Ausbilden einer Ätzstoppstruktur (111) am Boden der Kavität (104) wird die Kavität (104) geschlossen. Von einer hinteren Oberfläche (102) in Richtung der vorderen Oberfläche (101) wird das Halbleitersubstrat (100a) mindestens bis zum Erreichen eines zur hinteren Oberfläche ausgerichteten Randes der Ätzstoppstruktur (111) geschliffen. Das Ausbilden der Ätzstoppstruktur am Boden einer geätzten Kavität (104) erlaubt ein präzises Einstellen der Dicke des Halbleiterkörpers (100) der Halbleitervorrichtung (500).