摘要 |
Niederstrom-Logik plus Treiberschaltung, umfassend:–eine Logikstufe (E3, E4, E5), die mit einem Strombegrenzer versehen ist, der einen D-Modus-Rückkopplungstransistor (D1) mit Source (S), Drain (D), Gate (G) und einem Gate-Source-Übergang umfasst, wobei der Strombegrenzer ferner eine Komponente (E1, E2), die einen Spannungsabfall erzeugt, und eine Rückkopplungsschleife (FL) umfasst, die den Sourceanschluss des D-Modus-Rückkopplungstransistors über die Komponente, die einen Spannungsabfall erzeugt, mit dem Gate des D-Modus-Rückkopplungstransistors verbindet,–eine Inverterstufe (E8), die mit einem weiteren Strombegrenzer versehen ist, der einen weiteren D-Modus-Rückkopplungstransistor (D2) mit Source (S), Drain (D), Gate (G) und einem Gate-Source-Übergang umfasst, wobei der weitere Strombegrenzer ferner eine weitere Komponente (E6, E7), die einen Spannungsabfall erzeugt, und eine weitere Rückkopplungsschleife (FL) umfasst, die den Sourceanschluss des weiteren D-Modus-Rückkopplungstransistors über die weitere Komponente, die einen Spannungsabfall erzeugt, mit dem Gate des weiteren D-Modus-Rückkopplungstransistors verbindet,–eine Treiberstufe, die E-Modus-Transistoren (E9, E10) mit Source (S), Drain (D) und Gate (G) umfasst, wobei die E-Modus-Transistoren im Gegentakt geschaltet sind,–mehrere in der Logikstufe angeordnete Eingangs-E-Modus-Transistoren (E3, E4, E5), mit denen aus logischen Eingangssignalen ein logisches Ausgangssignal erzeugt wird, und–mindestens einen weiteren E-Modus-Transistor (E1, E2, E6, E7) mit einem Gate-Source-Übergang und/oder einem Gate-Drain-Übergang, wobei der Gate-Source-Übergang und/oder der Gate-Drain-Übergang den Spannungsabfall in mindestens einem der Strombegrenzer erzeugt. |