Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens

摘要

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.