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Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Halbleitersubstrats (10), das eine Isolationsschicht (13) und eine Halbleiterschicht (12) aufweist, wobei die Isolationsschicht (13) innerhalb des Substrats (10) angeordnet ist und die Halbleiterschicht (12) auf einer Oberfläche des Substrats (10) angeordnet ist; Ausbilden einer Maske (100), die ein vorbestimmtes Muster aufweist, auf der Halbleiterschicht (12); Ausbilden eines Grabens (14) auf der Halbleiterschicht (12) durch Ätzen der Halbleiterschicht (12) durch die Maske (100), wobei der Graben (14) von der Oberfläche der Halbleiterschicht (12) angeordnet ist und die Isolationsschicht (13) erreicht; und Ausbilden eines beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) durch Ätzen einer Seitenwand des Grabens (14), die in der Nähe des Bodens des Grabens (14) angeordnet ist, in eine Richtung, die parallel zu der Isolationsschicht (13) ist, so dass die Halbleiterschicht (12) von der Isolationsschicht (13) getrennt wird, wobei die Schritte des Ausbildens des Grabens (14) und des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) durch ein reaktives Ionenätzverfahren derart durchgeführt werden, dass das Substrat (10) in eine Vakuumkammer (200) eingesetzt wird und ein reaktives Gas in die Kammer (200) eingebracht wird, um in den Plasmazustand überzugehen, das reaktive Ionenätzverfahren auf eine derartige Weise durchgeführt wird, dass ein Ätzschritt und ein Abscheidungsschritt abwechselnd und wiederholt durchgeführt werden, der Ätzschritt derart ist, dass ein Ätzgas in dem Plasmazustand die Halbleiterschicht (12) ätzt, und der Abscheidungsschritt derart ist, dass ein Abscheidungsgas in dem Plasmazustand einen Schutzfilm (50) auf der Innenwand des Grabens (14) abscheidet, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Schritt des Ausbildens des Grabens (14) und des Ausbildens des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) derart eine unterschiedliche Ätzbedingung aufweist, dass ein Schutzeffekt des Schutzfilms (50) in dem Schritt des Ausbildens des beweglichen Abschnitts (20, 21, 22, 24) schwächer als in dem Schritt des Ausbildens des Grabens (14) ist, wobei die Ätzbedingung jeweils derart festgelegt ist, dass ... |
