| 发明名称 |
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE |
| 摘要 |
A SiC Schottky diode which includes a Schottky barrier formed on a silicon face 4H-SiC body. |
| 申请公布号 |
US2014042459(A1) |
申请公布日期 |
2014.02.13 |
| 申请号 |
US201313759872 |
申请日期 |
2013.02.05 |
| 申请人 |
RICHIERI GIOVANNI;SILICONIX TECHNOLOGY C.V. |
发明人 |
RICHIERI GIOVANNI |
| 分类号 |
H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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