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Ein Verfahren zum Bilden einer Dünnschicht-Halbleiterstruktur und eine Dünnschicht-Halbleiterstruktur, welche unter Verwendung desselben gebildet ist, sind vorgesehen. Eine Opferschicht (20) wird auf einem Substrat (10) gebildet und dann durch verschiedene Verfahren strukturiert, eine anorganische dünne Schicht (30) wird auf der Opferschicht (20) gebildet und dann wird die Opferschicht (20) selektiv entfernt, um eine Kavität zu bilden, welche durch das Substrat (10) und die anorganische dünne Schicht (30) auf dem Substrat (10) definiert ist |
