一种LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种LED芯片，包括以下部分：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型层；形成在N型层之上的量子阱；形成在量子阱之上的电子阻挡层；形成在电子阻挡层之上的P型层；形成在P型层之上的钝化层；P电极，P电极从衬底的下表面贯穿至P型层的下表面；以及N电极，N电极从衬底的下表面贯穿至N型层的下表面。该LED芯片具有出光率高、散热性好、制造成本低的优点。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，包括以下部分：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱；形成在所述量子阱之上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层之上的钝化层；P电极，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述P型GaN层的下表面；以及N电极，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述N型GaN层的下表面。