| 发明名称 | 三维集成电路及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三维集成电路及其制作方法，所述三维集成电路包括：一第一中介层，包括穿基底插塞(through substrate via，TSV)位于其中，和电路位于其上；多个第一有源管芯，位于第一中介层的一第一侧上方；多个包括穿基底插塞的第一中间中介层，位于第一中介层的第一侧上方；及一第二中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上，其中第一中间中介层支撑第二中介层。本发明实施例的三维集成电路具有以下优点：由于有中介层和中间中介层，本发明可在有源管芯中不形成穿基底插塞的情形下，形成三维集成电路。因此，有源管芯可用的有源区域可增加，且可避免由有源管芯中的穿基底插塞(TSV)产生的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103579208A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210462359.1 | 申请日期 | 2012.11.16 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄财煜 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张艳杰;张浴月 |
| 主权项 | 一种三维集成电路，包括：一第一中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上；多个第一有源管芯，位于该第一中介层的一第一侧上方；多个包括穿基底插塞的第一中间中介层，位于该第一中介层的该第一侧上方；及一第二中介层，包括穿基底插塞位于其中，和电路位于其上，其中该第一中间中介层支撑该第二中介层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||