发明名称 |
一种计算机用Al/Zn<sub>0.83</sub>Li<sub>0.17</sub>O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法,包括:将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨,预烧,然后进行球磨,加入粘结剂PVA,压成圆片,烧结,得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材;采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜;通过真空热蒸发,金属电极膜沉积在硅片背面;然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜,即得。本发明射频磁控溅射Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构电容器可满足计算机不挥发性铁电信息存储器件的应用要求,具有重要应用前景。 |
申请公布号 |
CN103578929A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310529508.6 |
申请日期 |
2013.10.30 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
何波;李耀刚;王宏志;张青红 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海泰能知识产权代理事务所 31233 |
代理人 |
黄志达 |
主权项 |
一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p‑Si MFS结构信息存储电容器的制备方法,包括:(1)将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨,预烧,然后进行第二次球磨,加入重量百分比为5%的粘结剂PVA,压片,烧结,得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材;(2)采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜,其中所用的靶材为Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材;(3)通过真空热蒸发,金属电极膜沉积在步骤(2)的硅片背面;然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜,即得。 |
地址 |
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 |