| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层；形成位于所述外延层表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延层，形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面的夹角大于等于80度，小于90度。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的半导体衬底内没有晶格损伤，且形成工艺简单，形成的鳍式场效应晶体管的性能优越。 | ||
| 申请公布号 | CN103579001A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210276064.5 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层；形成位于所述外延层表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延层，形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面的夹角大于等于80度，小于90度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||