发明名称 杂质扩散方法
摘要 本发明提供一种杂质扩散方法,该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法,其具备:将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序;将载置有前述被处理基板及前述虚设的被处理基板的前述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序;以及,在收纳有前述基板载置夹具的前述处理室内,使杂质相对于前述被处理基板的前述被扩散部位进行气相扩散的工序,在前述气相扩散工序中,前述要进行气相扩散的杂质是硼时,使用前述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为前述虚设的被处理基板。
申请公布号 CN103578939A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310325943.7 申请日期 2013.07.30
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 高桥和也;古泽纯和;冈田充弘
分类号 H01L21/223(2006.01)I 主分类号 H01L21/223(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种杂质扩散方法,其是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法,其具备:将所述被处理基板及所述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序;将载置有所述被处理基板及所述虚设的被处理基板的所述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序;以及在收纳有所述基板载置夹具的所述处理室内,使杂质相对于所述被处理基板的所述被扩散部位进行气相扩散的工序,在所述气相扩散工序中,所述要进行气相扩散的杂质是硼时,使用所述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为所述虚设的被处理基板。
地址 日本东京都