基于操作温度调整NVM单元偏置条件以降低性能退化的方法和系统

摘要

公开了用于对非易失性存储器(NVM)单元的偏置条件进行基于温度的调整以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器（212）、偏压发生器（150）和NVM单元阵列（204）的集成NVM系统（102）。此外，NVM系统可以在存储电路中存储基于温度的偏置条件信息。所公开的实施例基于温度测量选择和运用NVM单元的偏置条件。

主权项

一种集成非易失性存储器(NVM)系统，包括：非易失性存储器(NVM)单元的阵列；偏压发生器电路，被配置为生成NVM单元的偏压；以及控制器电路，被配置为获得与所述NVM系统有关的操作温度测量，基于温度测量来确定所述NVM系统的性能退化，以及基于性能退化确定来调整由所述偏压发生器电路生成的偏压的至少一个电压水平，其中所述控制器电路进一步被配置为使用所调整的至少一个电压水平进行所述NVM系统的存储器操作。