发明名称 |
一种电容器阴极箔和电容器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电容器阴极箔,由内至外分别为可氧化金属层、金属氧化层和电解质层,所述可氧化金属层的材质为阀金属或钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒的合金及化合物;所述电解质层为含有导电聚合物的固体电解质,所述导电聚合物为具有通式(Ⅰ)或(Ⅱ)的重复单元,或通式(Ⅰ)和(Ⅱ)的重复单元的聚噻吩。同时公开了一种电容器及其该电容器阴极箔的制备方法,本发明的有益效果为:本发明电容器阴极箔在高比表面积的多孔性金属氧化物介质层上覆一层新型导电聚合物,这层导电聚合物结构致密,附着牢固稳定,具有良好的导电性且与金属氧化物介质层接触良好,并且在保持固体电解电容器优良特性的同时,通过改变电极材料提高其高频性能。 |
申请公布号 |
CN103578773A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310549038.X |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
深圳新宙邦科技股份有限公司 |
发明人 |
覃九三;赵大成;刘春华 |
分类号 |
H01G9/042(2006.01)I;H01G9/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/042(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市博锐专利事务所 44275 |
代理人 |
张明 |
主权项 |
1.一种电容器阴极箔,由内至外分别为可氧化金属层、金属氧化层和电解质层,其特征在于:所述可氧化金属层的材质为阀金属或钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒的合金及化合物;所述电解质层为含有导电聚合物的固体电解质,所述导电聚合物为具有通式(Ⅰ)或(Ⅱ)的重复单元,或通式(Ⅰ)和(Ⅱ)的重复单元的聚噻吩;<img file="FDA0000409964240000011.GIF" wi="1110" he="523" />其中,A表示任选取代的C1-C5亚烷基;R表示直链或支链任选取代的C1-C18烷基、任选取代的C5-C12环烷基、任选取代的C6-C14芳基、任选取代的C7-C18芳烷基、任选取代的C1-C4羟基烷基或羟基;X表示0-8的整数;所述导电聚合物通过电化学聚合的方法覆在金属氧化层上形成导电聚合物膜,所述导电聚合物膜的厚度为100-1000μm。 |
地址 |
518000 广东省深圳市龙岗区坪山沙坣同富裕工业区 |