膜制造方法及膜制造装置

摘要

本发明提供一种膜制造方法及膜制造装置，其将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。本发明的膜制造方法具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在基板（101）上形成氧化铟膜（M1）；及退火工序，该工序在成膜工序之后，对氧化铟膜（M1）进行退火处理。而且，在成膜工序中，将成膜腔室（123）内的压力设为0.3Pa以下，将成膜腔室（123）内的基板（101）的温度设为100℃以下，在退火工序中，在100℃以下对氧化铟膜进行退火处理。

主权项

一种膜制造方法，其特征在于，具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火工序，该工序在所述成膜工序之后，对所述氧化铟膜进行退火处理，在所述成膜工序中，将腔室内的压力设为0.3Pa以下，将所述成膜对象物的温度设为100℃以下，在所述退火工序中，在100℃以下对所述氧化铟膜进行退火处理。