| 发明名称 | 包含ZnO立方烷的混合物的配制剂和使用它们制备半导体ZnO层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含以下组分的配制剂：a）至少两种不同的ZnO立方烷，其中至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以固态存在和至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液态存在，和b）至少一种溶剂，由这些配制剂制备半导体ZnO层的方法，所述配制剂用于制备电子元件的用途和所述电子元件本身。 | ||
| 申请公布号 | CN102216490B | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN200980145968.0 | 申请日期 | 2009.11.04 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限责任公司 | 发明人 | H.西伊姆;J.斯泰格;A.梅堀洛夫;D.V.普哈姆;Y.阿克舒;S.舒特;M.德里伊斯 |
| 分类号 | C23C18/12(2006.01)I;C07F3/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 配制剂，包含：a）至少两种不同的ZnO立方烷，其中i）至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以固态存在，和 ii）至少一种ZnO立方烷在SATP条件下以液态存在，和b）至少一种溶剂。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||