| 发明名称 | 氮化硅薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及氮气，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其中通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm、通入氮气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。上述氮化硅薄膜的制造方法给出了低温条件下生成低应力氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的低应力氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要低应力氮化硅薄膜的场合。 | ||
| 申请公布号 | CN103578937A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210266307.7 | 申请日期 | 2012.07.30 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 李展信 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气和稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其特征在于，通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||