| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：具有开口的层间绝缘层；形成在开口的下部中的接触插塞，其中接触插塞包括第一导电层；以及形成在开口的上部中且与接触插塞耦接的位线，其中位线包括第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103579177A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310046187.4 | 申请日期 | 2013.02.05 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李南宰 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;石卓琼 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：层间绝缘层，所述层间绝缘层具有开口；接触插塞，所述接触插塞被形成在所述开口的下部中，其中所述接触插塞包括第一导电层；以及位线，所述位线被形成在所述开口的上部中且与所述接触插塞耦接，其中所述位线包括第二导电层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||