阵列基板及其制作方法

摘要

一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。

主权项

一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；进行一第一光掩模工艺，该第一光掩模工艺包括：于该基板上依序形成一第一导电层、一栅极介电层、一半导体层以及一蚀刻阻挡层，并于该蚀刻阻挡层上形成一第一图案化光刻胶；进行一第一蚀刻工艺，将未被该第一图案化光刻胶覆盖的该蚀刻阻挡层与该半导体层移除，以部分暴露出该栅极介电层；进行一第二蚀刻工艺，对该第一图案化光刻胶、该蚀刻阻挡层以及该栅极介电层进行蚀刻，以形成一图案化栅极介电层与一图案化蚀刻阻挡层，并部分暴露出该第一导电层与该半导体层；将未被该图案化栅极介电层覆盖的该第一导电层移除，以形成一栅极电极；以及将未被该图案化蚀刻阻挡层覆盖的该半导体层移除，以形成一图案化半导体层，并部分暴露出该图案化栅极介电层；以及进行一第二光掩模工艺，该第二光掩模工艺包括：形成一保护层，至少部分覆盖该基板以及该图案化蚀刻阻挡层；以及将未被该保护层覆盖的该图案化蚀刻阻挡层移除，以至少部分暴露该图案化半导体层。