| 发明名称 | 半导体装置的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一型掺杂层、第二型掺杂层及电性耦合于第一型掺杂层与第二型掺杂层之间的内部电性连接层。在一实施例中，使用四族元素前驱物(group IV based precursor)与氮基前驱物(nitrogen based precursor)以形成内部电性连接层。在另一实施例中，使用含碳材料作为掺杂源以形成内部电性连接层，且内部电性连接层中碳元素的掺杂浓度大于1017原子/立方厘米。在又一实施例中，内部电性连接层的形成温度小于第一型掺杂层的形成温度及第二型掺杂层的形成温度。 | ||
| 申请公布号 | CN103579082A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210251100.2 | 申请日期 | 2012.07.19 |
| 申请人 | 华夏光股份有限公司 | 发明人 | 谢炎璋;许进恭;刘恒;李君超;施雅萱;陈嘉南 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;文琦 |
| 主权项 | 一种半导体装置的形成方法，包含：提供一基材；在所述基材上形成一第一型掺杂层；藉由一四族元素前驱物与一氮基前驱物形成一内部电性连接层，且该内部电性连接层中的四族元素与氮元素的原子数占该内部电性连接层总原子数百分比的50%以上；及形成一第二型掺杂层，其中，所述内部电性连接层位于所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层之间，且电性耦合所述第一型掺杂层与所述第二型掺杂层。 | ||
| 地址 | 开曼群岛大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309 | ||