| 发明名称 |
一种浮空电荷补偿MOS半导体装置及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种浮空电荷补偿MOS半导体装置，在MOS器件漂移层中设置了浮空相异导电类型的半导体材料，形成电荷补偿结构，从而降低器件的导通电阻和制造难度；本发明还提供了一种浮空电荷补偿MOS半导体装置的制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN103579336A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
| 申请号 |
CN201210269561.2 |
申请日期 |
2012.07.31 |
| 申请人 |
朱江 |
发明人 |
朱江 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种浮空电荷补偿MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上，漂移层中设置有垂直方向条状第二导电半导体材料，条状第二导电半导体材料与第一导电半导体材料构交替排列；多个MOS元胞，包括第二导电半导体材料构成的体区、第一导电半导体材料构成源区、沟道、栅绝缘材料层和多晶半导体材料构成的栅极，位于漂移层表面，同时MOS元胞体区与漂移层中条状第二导电半导体材料不相连。 |
| 地址 |
113200 辽宁省抚顺市新宾满族自治县残疾人联合会 |
