发明名称 半导体装置以及半导体装置的制造方法
摘要 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有半导体元件(1)、基板(2)、金属板(3)、多个球状粒子(4)。基板(2)安装有半导体元件(1)。金属板(3)具有彼此对置的一个面(3a)和另一个面(3b),在一个面(3a)设置有基板(2)。多个球状粒子(4)具有球状的外形并且球状的外形的一部分埋没于金属板(3)的另一个面(3b)。由此,能够得到能够促进来自半导体元件的散热的半导体装置及其制造方法。
申请公布号 CN103579130A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310333447.6 申请日期 2013.08.02
申请人 三菱电机株式会社 发明人 冈诚次;山口义弘
分类号 H01L23/12(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体元件;基板,安装有所述半导体元件;金属板,具有彼此对置的一个面和另一个面,在所述一个面设置有所述基板;多个球状粒子,具有球状的外形,并且,所述球状的外形的一部分埋没于所述金属板的所述另一个面。
地址 日本东京都
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