发明名称 |
调整NVM单元编程/擦除操作的偏置条件以降低性能退化的方法和系统 |
摘要 |
公开了用于调整非易失性存储器(NVM)单元的编程/擦除偏置条件以改进NVM系统的性能和产品寿命的方法和系统。系统实施例包括具有NVM控制器(212)、偏压发生器(150)和NVM单元阵列(204)的集成NVM系统(102)。此外,NVM系统可以在存储电路中存储性能退化信息(130)和编程/擦除偏置条件信息(132)。所公开的实施例基于性能退化确定来调整NVM单元的编程/擦除偏置条件,性能退化确定例如基于温度的性能退化确定和基于临时验证的性能退化确定。 |
申请公布号 |
CN103578544A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310316771.7 |
申请日期 |
2013.07.25 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
穆复宸;王彦卓;何晨;理查德·K·埃吉基 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李宝泉;周亚荣 |
主权项 |
一种集成非易失性存储器(NVM)系统,包括:非易失性存储器(NVM)单元的阵列;偏压发生器电路,被配置为生成NVM单元的偏压;控制器电路,被配置为基于与编程操作或擦除操作中的至少一个有关的性能信息来确定所述NVM系统的性能退化,并且基于性能退化确定来调整由所述偏压发生器电路生成的偏压的至少一个电压水平;其中所述控制器电路进一步被配置为使用所述至少一个调整的电压水平进行所述NVM系统的编程操作或擦除操作中的至少一个。 |
地址 |
美国得克萨斯 |