发明名称 |
一种平板阵列基板、传感器及平板阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种平板阵列基板的制作方法,包括:在基板上形成栅极及栅极扫描线;在形成栅极及栅极扫描线的基板上,形成栅绝缘层、有源层和第一透明导电层;在形成栅绝缘层、有源层和第一透明导电层的基板上,形成漏极及数据线、源极、公共电极层;在形成漏极及数据线、源极、公共电极层的基板上,形成第一钝化层、第二钝化层及过孔;在形成第一钝化层、第二钝化层及过孔的基板上,形成第二透明导电层;在形成第二透明导电层的基板上,形成第一树脂层和第二树脂层;在形成第一树脂层和第二树脂层的基板上,形成第三透明导电层;本发明还提供一种平板阵列基板及传感器。根据本发明的技术方案,能够降低使用的掩膜版数量,提高设备产能。 |
申请公布号 |
CN103579219A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201210265470.1 |
申请日期 |
2012.07.27 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
徐少颖;谢振宇;陈旭 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
张颖玲;程立民 |
主权项 |
一种平板阵列基板,其特征在于,该平板阵列基板包括:基板;位于基板上方的栅极及栅极扫描线;位于栅极及栅极扫描线上方的栅绝缘层,位于栅绝缘层上方且对应栅极区域的有源层,位于有源层上方的欧姆接触层,位于欧姆接触层上方和栅绝缘层上方的第一透明导电层;位于有源层上方且对应栅极区域的漏极及数据线,位于有源层上方且对应栅极区域以及有源层上方的第一透明导电层上方的源极,位于栅绝缘层上方且对应非栅极区域的公共电极层;位于有源层、源极、漏极及数据线上方的第一钝化层,位于对应非栅极区域的第一透明导电层上方及栅绝缘层上方的第二钝化层,第一钝化层与第二钝化层之间存在过孔;位于第二钝化层上方及公共电极上方的第二透明导电层;位于第一钝化层上方及源极上方的第一树脂层,位于源极上方、第二透明导电层上方及第二钝化层上方的第二树脂层;位于第一树脂层上方、第二树脂层上方及过孔上方的第三透明导电层。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |