半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种用于制造具有不同宽度的图案的半导体器件的方法。所述方法包括：使用具有较大宽度且在间隔件层的刻蚀工艺期间保留的保护图案来刻蚀牺牲图案。因为使用具有较大宽度且保留在较大宽度的保护图案之下的牺牲图案作为焊盘掩模图案，所以可以不需要形成焊盘掩模图案的单独工艺。因此，可以简化半导体器件的制造方法。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在刻蚀目标层之上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有第一宽度的第一保护图案和具有比第一宽度大的第二宽度的第二保护图案；通过使用所述第一保护图案和所述第二保护图案作为刻蚀阻挡层刻蚀所述牺牲层，而在所述第一保护图案之下形成第一牺牲图案和在所述第二保护图案之下形成第二牺牲图案；在形成所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案之后，在所得结构的整个表面之上形成间隔件层；刻蚀所述间隔件层，以沿着所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案的侧壁形成间隔件；通过使用在所述间隔件层的刻蚀期间保留的第二保护图案作为刻蚀阻挡层，来去除在所述间隔件层的刻蚀期间暴露出的所述第一牺牲图案；以及通过使用所述第二牺牲图案和所述间隔件作为刻蚀阻挡层刻蚀所述刻蚀目标层，来形成目标图案。