| 发明名称 | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法，其中半导体结构包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在组成上与第一III-V化合物层不同。第二III-V化合物层具有顶面。源极部件和漏极部件设置在第二III-V化合物层上。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V化合物层上方。氟区嵌入栅电极下方的第二III-V化合物层中。氟区的顶面低于第二III-V化合物层的顶面。栅极介电层设置在栅电极的至少一部分的下方以及氟区的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN103579328A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210454453.2 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄敬源;游承儒;姚福伟;余俊磊;陈柏智;杨富智 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，设置在所述第一III‑V化合物层上方并且在组成上与所述第一III‑V化合物层不同，所述第二III‑V化合物层具有顶面；源极部件和漏极部件，设置在所述第二III‑V化合物层上；栅电极，设置在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III‑V化合物层上方；氟区，嵌入所述栅电极下方的第二III‑V化合物层中，其中，所述氟区的顶面低于所述第二III‑V化合物层的顶面；以及栅极介电层，设置在所述栅电极的至少一部分的下方以及所述氟区的上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||