| 发明名称 | 用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 本文描述用于沉积碳-掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3-x的有机氨基烷基硅烷，其中x=1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3-x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x=1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳-掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。 | ||
| 申请公布号 | CN103582719A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201280027268.3 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 萧满超;雷新建;R·M·佩尔斯泰恩;H·钱德拉;E·J·卡瓦基;韩冰;M·L·奥尼尔 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C07F7/00(2006.01)I;C07F7/08(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C07F7/10(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴亦华 |
| 主权项 | 用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物，其包含：第一前体，所述第一前体包含至少一种选自下述的化合物：(i)具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x=1、2、3；(ii)具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x=1、2、3；(iii)具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷；(iv)具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷；及其组合；其中R3、R4和R7各自独立地选自C1至C10直链或支链烷基、C3至C10环状烷基、直链或支链C2至C10烯基、直链或支链C2至C10炔基、C5至C10芳基、和C3至C10饱和或不饱和杂环基；R5和R6各自独立地选自C1至C10直链或支链烷基、C3至C10环状烷基、直链或支链C2至C10烯基、直链或支链C2至C10炔基、C5至C10芳基、和C3至C10饱和或不饱和杂环基、及卤原子；R8和R9各自独立地选自氢、C1至C10直链或支链烷基、C3至C10环状烷基、直链或支链C2至C10烯基、直链或支链C2至C10炔基、C5至C10芳基、和C3至C10饱和或不饱和杂环基；及R10和R11各自独立地选自C1至C10直链或支链烷基、C3至C10环状烷基、直链或支链C2至C10烯基、直链或支链C2至C10炔基、C5至C10芳基、和C3至C10饱和或不饱和杂环基；其中R3和R4可以形成环状环或烷基取代的环状环；和其中R10和R11可以形成环状环或烷基取代的环状环；和L=Cl、Br、I； | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||