发明名称 |
晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层,该沟道层包括石墨烯,该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。 |
申请公布号 |
CN103579310A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310073946.6 |
申请日期 |
2013.03.08 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李昌承;金容诚;李周浩;郑镛席 |
分类号 |
H01L29/16(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
屈玉华 |
主权项 |
一种晶体管,包括:沟道层,包括石墨烯;栅绝缘层,设置在所述沟道层的表面上并且包括氟化石墨烯;栅极,设置为面对所述沟道层,所述栅绝缘层插置在所述栅极与所述沟道层之间;以及源极和漏极,分别电连接到所述沟道层的第一和第二区域。 |
地址 |
韩国京畿道 |