发明名称 晶体管及其制造方法
摘要 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层,该沟道层包括石墨烯,该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
申请公布号 CN103579310A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310073946.6 申请日期 2013.03.08
申请人 三星电子株式会社 发明人 李昌承;金容诚;李周浩;郑镛席
分类号 H01L29/16(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 主分类号 H01L29/16(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 屈玉华
主权项 一种晶体管,包括:沟道层,包括石墨烯;栅绝缘层,设置在所述沟道层的表面上并且包括氟化石墨烯;栅极,设置为面对所述沟道层,所述栅绝缘层插置在所述栅极与所述沟道层之间;以及源极和漏极,分别电连接到所述沟道层的第一和第二区域。
地址 韩国京畿道