发明名称 金属沟渠减噪结构及其制造方法
摘要 本发明涉及一种金属沟渠减噪结构及其形成方法,所述的金属沟渠减噪结构包含位于基材中的沟渠、位于沟渠内壁上的绝缘层、覆盖基材与绝缘层的层间介电层,和位于基材上穿过层间介电层而填满沟渠的金属层,其中,金属层可以为接地或是浮置状态。本发明金属沟渠减噪结构可以屏蔽或者迅速抽走在基材中耦合的噪声干扰,从而用来避免敏感的讯号区遭受基材中耦合噪声的干扰。
申请公布号 CN103579200A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310435058.4 申请日期 2013.09.23
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 叶达勋
分类号 H01L23/552(2006.01)I 主分类号 H01L23/552(2006.01)I
代理机构 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人 项荣;刘国伟
主权项 一种金属沟渠减噪结构,包含:一基材;一沟渠,位于该基材中;一绝缘层,位于该沟渠内壁上;一层间介电层,覆盖该基材与该绝缘层;以及一金属层,位于该基材上,穿过该层间介电层而填满该沟渠,其中,该金属层为接地与浮置其中一者。
地址 中国台湾新竹科学园区创新二路二号
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