发明名称 用于提供基于自旋转移的逻辑器件的方法和系统
摘要 本发明提供了用于提供基于自旋转移的逻辑器件的方法和系统。描述了逻辑器件。该逻辑器件包括磁输入/通道区、磁传感器区以及与磁传感器区耦接的传感器。每个磁输入/通道区被磁偏置在第一方向上。磁传感器区被磁偏置在不同于第一方向的第二方向上使得畴壁位于磁输入/通道区中,如果逻辑器件处于静止状态。传感器根据磁传感器区的磁状态输出信号。输入/通道区和磁传感器区被配置为使得畴壁可以响应于提供到磁输入区的逻辑信号而移动到磁传感器区中。磁输入/通道区包括FexCoyNizM1q1M2q2,其中x+y+z+q1+q2=1,x、y、z、q1、q2至少为零,M1和M2是非磁性的。
申请公布号 CN103580679A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310325217.5 申请日期 2013.07.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 D.阿帕尔科夫;D.德鲁伊斯特
分类号 H03K19/20(2006.01)I;H03K19/16(2006.01)I 主分类号 H03K19/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张波
主权项 一种逻辑器件,包括:多个磁输入/通道区,所述多个磁输入/通道区的每个被磁偏置在第一方向上,所述多个磁输入/通道区包括含有FexCoyNizM1q1M2q2的合金,其中x+y+z+q1+q2=1,x至少为0,y至少为0,z至少为0,q1至少为0,q2至少为0,M1为非磁性的,M2为非磁性的;至少一个磁传感器区,被磁偏置在与所述第一方向不同的第二方向上,使得如果所述逻辑器件处于静止状态,至少一个畴壁位于所述多个磁输入/通道区中;和至少一个传感器,与所述至少一个磁传感器区耦接,所述至少一个传感器用于基于所述至少一个磁传感器区的磁状态来输出信号;其中所述多个磁输入/通道区和所述至少一个磁传感器区配置为使得所述至少一个畴壁响应于提供到至少一部分的所述多个磁输入区的逻辑信号而移动到所述至少一个磁传感器区中。
地址 韩国京畿道