发明名称 |
可靠的表面安装整体功率模块 |
摘要 |
本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块,公开了一种产生改进的热-机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块,该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接,其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面,其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间,以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。 |
申请公布号 |
CN103579137A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310324485.5 |
申请日期 |
2013.07.30 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
A.V.高达;P.A.麦康奈李;S.S.乔罕 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
肖日松;严志军 |
主权项 |
一种表面安装结构,包括:子模块,所述子模块包括: 介电层; 附连到所述介电层的至少一个半导体装置,所述至少一个半导体装置中的每一个包括由半导体材料组成的衬底; 电联接至所述至少一个半导体装置的一级金属互连结构,所述金属互连结构延伸通过穿过所述介电层形成的通孔,以便连接到所述至少一个半导体装置;以及 二级输入/输出(I/O)连接,其电联接至所述一级金属互连结构且在与所述至少一个半导体装置相反的一侧形成于所述介电层上,所述二级I/O连接构造成将所述子模块连接到外部电路;具有第一表面和第二表面的多层衬底结构,其中所述子模块的所述至少一个半导体装置附连到所述多层衬底的所述第一表面;以及一种或多种介电材料,其定位在所述介电层与所述多层衬底结构的所述第一表面之间且至少部分地围绕所述子模块的所述至少一个半导体装置,所述一种或多种介电材料构造成填充所述表面安装结构中的间隙且向其提供另外的结构完整性。 |
地址 |
美国纽约州 |