半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制作方法。半导体元件的制作方法包括：在基板上依序形成栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层及蚀刻终止层。蚀刻终止层具两个暴露出部分氧化物半导体层的接触开口。在蚀刻终止层上形成金属层。金属层通过接触开口与氧化物半导体层相连接。在金属层上形成半调式图案化光致抗蚀剂层。以半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于半调式图案化光致抗蚀剂层之外的金属层及其下方的蚀刻终止层。减少半调式图案化光致抗蚀剂层厚度直至第二部分被完全移除为止而形成图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于图案化光致抗蚀剂层之外的金属层与氧化物半导体层，而定义出源极、漏极及通道区域。移除图案化光致抗蚀剂层。

主权项

一种半导体元件的制作方法，包括：在一基板上形成一栅极；依序形成堆叠于该基板上的栅绝缘层、氧化物半导体层以及蚀刻终止层，其中该栅绝缘层覆盖该栅极，该蚀刻终止层具有两个暴露出该氧化物半导体层的一部分的接触开口；在该蚀刻终止层上形成一金属层，其中该金属层覆盖该蚀刻终止层且通过该些接触开口与该氧化物半导体层相连接；在该金属层上形成一半调式图案化光致抗蚀剂层，该半调式图案化光致抗蚀剂层暴露出该金属层的一部分，且该半调式图案化光致抗蚀剂层具有第一部分及第二部分，其中该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度；以该半调式图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于该半调式图案化光致抗蚀剂层之外的该金属层的该部分及其下方的该蚀刻终止层，而暴露出该氧化物半导体层的另一部分；减少该半调式图案化光致抗蚀剂层的厚度，直至该第二部分被完全移除为止，而形成一图案化光致抗蚀剂层，其中该图案化光致抗蚀剂层暴露出该金属层的另一部分；以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除暴露于该图案化光致抗蚀剂层之外的该金属层的该另一部分与该氧化物半导体层的该另一部分，且定义出源极、漏极及通道区域；以及移除该图案化光致抗蚀剂层，而暴露出该源极及该漏极。