| 发明名称 | 一种检测膜层应力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测膜层应力的方法，该方法包括：A、在所提供的膜层上沉积设定压力的金属层，得到检测结构；B、在膜层的布线方向对该检测结构进行裂片，采用扫描电子显微镜检测该裂片；C、确定该裂片中膜层的弯曲度为设定的弯曲度范围时，将所设定的压力作为该膜层的应力。该方法在检测膜层应力的过程中，比较简单且检测准确。 | ||
| 申请公布号 | CN102486444B | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201010568450.2 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | G01N3/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | G01N3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种检测膜层应力的方法，该方法包括：A、在所提供的膜层上沉积设定压力的金属层，得到检测结构；B、在膜层的布线方向对该检测结构进行裂片，采用扫描电子显微镜检测该裂片；C、确定该裂片中膜层的弯曲度为设定的弯曲度范围时，将所设定的压力作为该膜层的应力；所述检测结构包括：在半导体器件的硅衬底上依次沉积氧化层、铜层、铜阻挡层、所提供的膜层及设定压力的金属层，所述设定压力的金属层为铝层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||