发明名称 光电子半导体器件和显示装置
摘要 在光电子半导体器件(1)的至少一个实施形式中,该光电子半导体器件(1)包括至少两个光电子半导体芯片(2),所述至少两个光电子半导体芯片(2)被设立来在工作时在彼此不同的波长范围中发射电磁辐射。所述半导体芯片(2)被安置在共同的支承体(4)的安装面(40)上。此外,该光电子半导体器件(1)包含至少两个非旋转对称地构成的透镜体(3),所述透镜体(3)被设立来沿着两个彼此正交的方向(H,V)平行于安装面(40)地以彼此不同的辐射角(α)使辐射成形。在辐射方向(z)上,在半导体芯片(2)中的每个的下游设置有或者与半导体芯片(2)中的每个都相关联有所述透镜体(3)之一。
申请公布号 CN102365739B 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201080015254.0 申请日期 2010.03.01
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 P.布里克;M.维特曼;S.韦伯-拉布西尔伯
分类号 H01L25/13(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/13(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 胡莉莉;李家麟
主权项 一种光电子半导体器件(1),其具有:‑ 至少两个光电子半导体芯片(2),所述至少两个光电子半导体芯片(2)被设立来在工作时在彼此不同的波长范围中发射电磁辐射,并且所述至少两个光电子半导体芯片(2)被安置在共同的支承体(4)的安装面(40)上,‑ 至少两个非旋转对称构成的透镜体(3),所述透镜体(3)被设立来沿着两个彼此正交的方向(H,V)平行于安装面(40)且垂直于光电子半导体器件(1)的主辐射方向地以彼此不同的辐射角(α)使辐射成形,其中在辐射方向(z)上,在半导体芯片(2)中的每个的下游设置有所述透镜体(3)之一,其特征在于:在为相应的透镜体的高度(T)的最多10%的z值偏差之内,透镜体(3)中的至少一个或者所有透镜体的表面形状遵循如下等式:z(x,y)=‑0.33866x2‑0.93234y2‑0.54136x4‑1.25032x2y2+1.78606y4+0.50057x6+1.27170x4y2+0.06042x2y4‑4.44960y6‑0.10344x8+1.56205x6y2+6.38833x4y4+2.05268x2y6‑18.7818y8‑0.158501x10‑2.955774x8y2‑10.73336x6y4‑26.66134x4y6‑2.344646x2y8+0.127770y10。
地址 德国雷根斯堡