发明名称 | 用于制造3D图像传感器结构的系统和方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。所述方法包括在衬底上提供具有背照式光敏区的图像传感器,将第一介电层施加到所述衬底的与收集图像数据的衬底侧相对的第一侧,将可选为多晶硅的半导体层施加到所述第一介电层。至少一个控制晶体管可制造在所述半导体层内的第一介电层上,并且可选为行选择、复位或源极跟随器晶体管。将金属间介电层施加在所述第一介电层上方,以及可具有设置在其中的至少一个金属互连件。可将第二层间介电层设置在控制晶体管上。可通过将晶圆接合到所述衬底或通过沉积来施加所述介电层以及半导体层。 | ||
申请公布号 | CN103579264A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
申请号 | CN201310042268.7 | 申请日期 | 2013.02.01 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;庄俊杰 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种用于制造图像传感器件的方法,包括:在衬底上提供图像传感器,所述图像传感器至少包括设置在所述衬底的第一侧上的光敏区;在所述衬底的第一侧施加第一介电层;在所述第一介电层上施加半导体层;在所述半导体层的上方形成至少一个晶体管;在所述至少一个晶体管及所述半导体层的上方施加金属间介电层;以及至少在所述金属间介电层中制造至少一个金属互连件。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |