| 发明名称 | 氮化物基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述氮化物基半导体器件包括在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的氮化物基半导体层、在氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层以及在氮化物基半导体层上的沟道层。 | ||
| 申请公布号 | CN103579330A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310303593.4 | 申请日期 | 2013.07.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李哉勋;郭煐宣 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种氮化物基半导体器件，包括：缓冲层，其在衬底上；氮化物基半导体层，其在所述缓冲层上；至少一个离子注入层，其在所述氮化物基半导体层内；以及沟道层，其在所述氮化物基半导体层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||