| 发明名称 | 非对称半导体的结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非对称半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅堆叠，所述栅堆叠包括一个或多个栅介质层和栅电极层；形成在所述栅堆叠侧壁的侧墙；以及形成在所述衬底中，位于所述栅堆叠侧壁的源极和漏极；其中所述栅介质层在源极区一侧的等效氧化层厚度相对较低，在漏极区一侧的等效氧化层厚度相对较高。该半导体结构通过例子注入而使栅介质层两端的相对介电常数不同，从而导致源/漏极区单位面积电容不同，EOT不同，本发明可以满足漏极和源极不同的工作需要，最大限度地发挥漏极和源极的效率，从而整体上提高该半导体器件的工作性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102157553B | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201010111063.6 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
| 主权项 | 一种非对称半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅堆叠，所述栅堆叠包括一个或多个栅介质层和栅电极层；形成在所述栅堆叠侧壁的一个或多个侧墙；以及形成在所述衬底中，位于所述栅堆叠侧壁的源极和漏极；其中所述栅介质层在源极区一侧的等效氧化层厚度相对较低，在漏极区一侧的等效氧化层厚度相对较高；所述等效氧化层通过在源极区一侧对栅介质层进行相对较高浓度的离子注入并在漏极区一侧对栅介质层进行相对较低浓度的离子注入来形成。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||