| 发明名称 | 光电元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开光电半导体元件及其制造方法，该光电半导体元件包括：基板；第一窗口层形成于所述的基板，具有第一片电阻值，第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值，第二厚度及第二杂质浓度；光电系统形成于所述的第一窗口层及所述的第二窗口层之间；其中所述的第二窗口层和所述的光电系统为不同的半导体材料；所述的第二片电阻值低于所述的第一片电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN102148301B | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201110034959.3 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈世益;许嘉良;徐子杰;吴俊毅;黄建富 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种光电半导体元件，包括：基板；第一窗口层，形成于该基板，具有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度；第二窗口层，具有第二片电阻值、第二厚度及第二杂质浓度；光电系统，形成于该第一窗口层及该第二窗口层之间；其中该第二窗口层和该光电系统包括不同的半导体材料；该第二片电阻值低于该第一片电阻值；该第二厚度大于该第一厚度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||