发明名称 |
一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法。该方法选用硼作为掺杂元素,将线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合,以硼靶为溅射靶,再通入含碳气源,利用线性离子源沉积碳膜的同时溅射沉积硼元素,得到硼掺杂类金刚石薄膜,然后连接导线,得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。与现有技术相比,该方法绿色环保,工艺简单,成本低,制得的电极具有良好的电化学性能,因此具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103572237A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310568131.5 |
申请日期 |
2013.11.14 |
申请人 |
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
发明人 |
汪爱英;周凯;张栋;邹友生;郭鹏;柯培玲 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
单英 |
主权项 |
一种硼掺杂类金刚石薄膜电极的制备方法,其特征是:采用线性离子源沉积技术与磁控溅射沉积技术相结合的方法制备,具体制备过程如下:步骤1、将基体清洗后进行表面刻蚀处理;步骤2、设定线性离子源电流为0.1A~0.3A,通入含碳气源;溅射靶为硼靶,调整溅射靶的工作电流为0.2A~1.5A,通入氩气进行溅射;设定基片偏压为‑50V~‑250V;打开线性离子源、溅射靶电源和偏压,在基体前表面进行薄膜沉积,得到硼掺杂类金刚石薄膜;步骤3:将步骤2处理后的基体与导线连接,然后将其四周和背表面用环氧树脂包覆,未包覆的薄膜作为电极表面,得到硼掺杂类金刚石薄膜电极。 |
地址 |
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 |