发明名称 一种纳米压印工艺的优化方法
摘要 本发明公开了一种纳米压印工艺的优化方法,包括如下步骤:(1)选取影响纳米压印工艺的因素,每个因素设置相应水平;(2)在设定的因素条件下进行纳米压印实验,记录实验结果;(3)利用多因素方差分析方法对实验结果进行分析;(4)根据分析结果选择最佳水平组合,确定最佳的纳米压印条件。本发明提供的纳米压印工艺的优化方法利用数理统计方法,简单易行,科学精确,能快速确定最佳的纳米压印条件,提高纳米压印的效率。
申请公布号 CN103577582A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310552766.6 申请日期 2013.11.08
申请人 无锡英普林纳米科技有限公司 发明人 王晶
分类号 G06F17/30(2006.01)I;G06Q10/04(2012.01)I;G06Q50/04(2012.01)I 主分类号 G06F17/30(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 成立珍
主权项 一种纳米压印工艺的优化方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)选取影响纳米压印工艺的因素,每个因素设置相应水平;(2)在设定的因素条件下进行纳米压印实验,记录实验结果;(3)利用多因素方差分析方法对实验结果进行分析;(4)根据分析结果选择最佳水平组合,确定最佳的纳米压印条件。
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