发明名称 |
一种微陀螺仪及其加工制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种体硅作为感应电极板和通道的微陀螺仪及其加工制造方法,包括硅衬底上基板(12)、硅衬底下基板(1)、可动结构层(8)以及引线,所述的微陀螺仪由体硅电容感应极板和体硅导电通道结构构成,所述的硅衬底上基板(12)和硅衬底下基板(1)之间采用键和连接结构,所述的引线为分布在硅衬底上基板(12)中间部位的第一金属互联窗口(18)和第二金属互联窗口(19),制造顺序分为,硅衬底下基板制造,下基板和可动层制造,硅衬底上基板制造,上下基板键和连接以及引线四部分,本发明工艺步骤少,便于控制,并且减少生产线金属沾污的次数。 |
申请公布号 |
CN103575260A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201210250559.0 |
申请日期 |
2012.07.19 |
申请人 |
水木智芯科技(北京)有限公司 |
发明人 |
孙博华;田晓丹;孙明;王琳;覃昭君;周源;邵长治;郭伟恒 |
分类号 |
G01C19/00(2013.01)I;G01C25/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01C19/00(2013.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种微陀螺仪,包括硅衬底上基板(12)、硅衬底下基板(1)、可动结构层(8)以及引线,其特征在于:所述的微陀螺仪由体硅电容感应极板和体硅导电通道结构构成,所述的硅衬底上基板(12)和硅衬底下基板(1)之间采用键和连接结构,所述的引线为分布在硅衬底上基板(12)中间部位的第一金属互联窗口(18)和第二金属互联窗口(19)。 |
地址 |
100084 北京市海淀区中关村东路1号院8号楼B501C |