发明名称 |
滤波电容器用高方阻金属化膜 |
摘要 |
一种滤波电容器用高方阻金属化膜,涉及电容器技术领域,包括基膜,所述的基膜上设置有金属镀层,所述金属镀层沿基膜宽度方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边,所述金属镀层沿基膜宽度方向的另一端边形成具有一定宽度的边缘加厚区,所述边缘加厚区与空白留边之间为非加厚区,所述边缘加厚区的方阻为2-4Ω/□,所述非加厚区的方阻为6-65Ω/□。本发明具有自愈性好、性能稳定、抗电强度高、不易击穿、生产成本低等许多普通金属化膜不具有的优点,广泛应用于各类电容器的制造,提高了金属化薄膜电容器的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN103578755A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310479776.1 |
申请日期 |
2013.10.15 |
申请人 |
铜陵其利电子材料有限公司 |
发明人 |
荚朝辉;康仙文 |
分类号 |
H01G4/015(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/015(2006.01)I |
代理机构 |
安徽信拓律师事务所 34117 |
代理人 |
鞠翔 |
主权项 |
一种滤波电容器用高方阻金属化膜,其特征在于:包括基膜,所述的基膜上设置有金属镀层,所述金属镀层沿基膜宽度方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边,所述金属镀层沿基膜宽度方向的另一端边形成具有一定宽度的边缘加厚区,所述边缘加厚区与空白留边之间为非加厚区,所述边缘加厚区的方阻为2‑4Ω/□,所述非加厚区的方阻为6‑65Ω/□。 |
地址 |
244000 安徽省铜陵市狮子山经济开发区 |