用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法

摘要

本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法是通过表面剪切应力在衬底表面引入应变，此应变的大小会随纵向深度不同而变化，但不随表面内横向尺寸的改变而变化，并通过侧壁正应力而保留沿沟道方向的等效应变。用本方法制作出来的晶体管在特征尺寸为几微米情况下，沟道仍具有较大应变，并能提高器件与电路的频率特性。

主权项

用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法，其特征在于该方法是通过表面施加剪切应力在衬底表面引入剪切应变，然后经过侧壁限制与消除或减弱恢复力，并经稳定化处理后，保留沿沟道方向上所期望的应变，该应变大小随纵向深度而变化，但不随衬底表面内横向尺寸的改变而变化，其具体制作步骤如下： 步骤1)，在衬底表面淀积具有高本征应力的介质层，在衬底表面层引入应变： 步骤2)，利用STI结构，在衬底内垂直于衬底表面的方向进行应变限定或增强，消除或减弱应变区的恢复力，阻止应变的释放，使应力转换而保留沟道方向上所需的应变； 步骤3)，退火处理，使应变区与应力源组织稳定化和均匀化，使材料表面所施加的等效应变保留下来，即实现等效应变的记忆； 步骤4)，平坦化处理，去掉表面应力源后，在引入应变的衬底上制作第一晶体管(120A)即具有张应变沟道的NFET器件，第二晶体管(120B)即具有压应变沟道的PFET器件，所制作的器件沟道具有相应的等效应变。