半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；形成覆盖所述半导体衬底表面的第一材料层；在第一区域的第一材料层表面形成第二材料层，第一区域的第一材料层和第二材料层构成堆叠结构；在堆叠结构和第二区域的第一材料层表面形成掩膜层；采用第一等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一材料层，形成暴露所述半导体衬底表面的第三开口，同时刻蚀部分厚度所述堆叠结构，形成若干第四开口；采用第二等离子体刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成第一凹槽，同时刻蚀所述堆叠结构和半导体衬底，形成若干第二凹槽，第二凹槽深度小于第一凹槽的深度。第一凹槽和第二凹槽同一刻蚀步骤形成，工艺过程简单。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第一区域相邻的第二区域；形成覆盖所述半导体衬底表面的第一材料层；在第一区域的第一材料层表面形成第二材料层，第一区域的第一材料层和第二材料层构成堆叠结构；在堆叠结构和第二区域的第一材料层表面形成掩膜层，第一区域的掩膜层具有若干暴露堆叠结构表面的第一开口，第二区域的掩膜层具有暴露第一材料层表面的第二开口；采用第一等离子体刻蚀工艺沿第二开口刻蚀所述第一材料层，形成暴露所述半导体衬底表面的第三开口，同时沿若干第一开口，刻蚀部分厚度所述堆叠结构，形成若干第四开口；采用第二等离子体刻蚀工艺沿第三开口刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成第一凹槽，同时沿若干第四开口刻蚀所述堆叠结构和半导体衬底，在半导体衬底中形成若干第二凹槽，相邻第二凹槽之间为鳍部，第二凹槽深度小于第一凹槽的深度。