| 发明名称 | SiO<sub>2</sub>/Al双材料复合梁的应力调整工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，包括以下步骤：①在一块体硅表面淀积一层SiO2层；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。该工艺能对SiO2/Al复合梁的残余应力进行调节，从而使复合梁曲率半径增大，反光板角度较小，进而提高了以SiO2/Al为形变梁的非制冷红外芯片的成像质量。同时，该工艺可以可根据器件应用，适当调整其中参数，来控制复合梁的应力出现张或者压应力。 | ||
| 申请公布号 | CN103569944A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210256492.1 | 申请日期 | 2012.07.23 |
| 申请人 | 昆山光微电子有限公司 | 发明人 | 李志刚;尚海平;焦斌斌;卢狄克;孔延梅;刘瑞文;陈大鹏 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人 | 盛建德 |
| 主权项 | 一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，其特征在于包括以下步骤：①在一块体硅（1）表面淀积一层SiO2层（2）；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜（3）；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层（4）；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路145号 | ||